[ rozšířené vyhledávání ]


Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

[ registrovat ]

tranzistorové moduly MOSFET

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Diskrétní polovodičové moduly » tranzistorové moduly MOSFET

Modul dioda SiC/tranzistor 600V 38A SP3F Ugs ±20V Idm 130A
MICROCHIP (MICROSEMI)

Modul dioda SiC/tranzistor 600V 38A SP3F Ugs ±20V Idm 130A

MICROCHIP (MICROSEMI) APTCV60HM45RCT3G - Tranzistorové moduly MOSFET

Jen na objednávku
(cena s DPH): 3 152.7 Kč
(cena bez DPH): 2 605.5 Kč
Množství 7+ ks 10+ ks Více
Cena/ks 2 599.36 Kč 2 493.64 Kč Cena dotazem
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží TMEAPTCV60HM45RCT3G

Modul dioda SiC/tranzistor 600V 38A SP3F Ugs ±20V Idm 130A

VýrobceMICROCHIP (MICROSEMI)
Typ modulutranzistorový MOSFET/IGBT
Struktura polovodičedioda SiC/tranzistor
Napětí drain-source600V
Proud drainu38A
PouzdroSP3F
Topologiejednofázový diodový můstek
Topologiemůstek H
Topologietermistor NTC
Elektrická montážPress-in PCB
Odpor v sepnutém stavu45mΩ
Impulsní proud kolektoru130A
Ztrátový výkon250W
TechnologieCoolMOS™
TechnologieField Stop
TechnologieSiC
TechnologieTrench
Napětí gate-source±20V
Mechanická montážpřišroubováním
Proud kolektoru50A