Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

IGBT Tranzistory

IGBT Tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » IGBT Tranzistory


IGBT tranzistor IXDN75N120

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 150 A, Uce = 1200 V, Pd = 660 W, pouzdro SOT227

Jen na objednávku
(cena s DPH): 1 062.9 Kč
(cena bez DPH): 878.5 Kč
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží GM213-320

IGBT tranzistor IXDN75N120

IGBT tranzistor, Provedení: Vývodové , Ic = 150 A, Uce = 1200 V, Pd = 660 W, pouzdro SOT227 Parametry: Ic = 150 A Ic puls = 190 A Uce = 1200 V, Uge = 20 V, Pd = 660 W, Ton/off = 100/650 ns, Pouzdro = SOT227