Nákupní košík

Nákupní košík

Přihlášení do obchodu

Darlingtonovy tranzistory

Darlingtonovy tranzistory

GSMCentrum.CZ » Elektronické součástky » Tranzistory » Darlingtonovy tranzistory


ON SEMICONDUCTOR

Darlingtonův tranzistor NPN MJ11016

Ic = 30 A, Pd = 200 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 30 A Uce0 = 120 V, Ucb0 = 120 V, Pd = 200 W, h21E = 200..4500, fT = 4 MHz, Pouzdro = TO3

skladem Centrální sklad: 36 ks
(cena s DPH): 202.3 Kč
(cena bez DPH): 167.2 Kč
Poplatky za dopravu
Načítám možnosti dopravy...
Cena vč. dopravy: Vyberte dopravu
Identifikátor zboží GM211-116

Darlingtonův tranzistor NPN MJ11016

Darlingtonův tranzistor NPN - Ic = 30 A, Pd = 200 W, pouzdro TO3 Parametry: Ic = 30 A Uce0 = 120 V, Ucb0 = 120 V, Pd = 200 W, h21E = 200..4500, fT = 4 MHz, Pouzdro = TO3